大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于手机 科技结晶的问题，于是小编就整理了1个相关介绍手机 科技结晶的解答，让我们一起看看吧。
芯片里的单位纳米是什么意思？是否是越小越先进呢？
高端芯片在宣传的时候，都会宣传其工艺制程是多少纳米的，比如高通骁***55和华为海思麒麟985都是7nm的工艺制程。这种工艺制程是由光刻机来实现的，而纳米本身是一种长度单位，纳米数体现了芯片工艺制程水平的高低。
1 芯片的纳米是什么意思
芯片制造中，一项重要的工艺流程就是蚀刻，该工艺是由光刻机来实现的，纳米数就代表了蚀刻尺寸，表示晶体管之间的最小距离或者一个单位的集体管能蚀刻在硅片上的最小尺寸。纳米数越小，代表工艺水平越先进，代表单位面积内所能蚀刻的晶体管也就越多。目前，台积电和三星能实现7nm的EUV蚀刻技术，而且已经量产，台积电的下一代5nm的蚀刻技术正在建厂。高端芯片的制造只有几家企业可以实现，如台积电、三星、英特尔等。
2 纳米是什么单位
纳米nm跟米m、厘米cm一样是一个长度单位，只不过这个单位非常小。我们知道1米等于100厘米等于1000毫米，而纳米代表的是10的负9次方米。人体头发的直径一般在80微米左右，而1微米等于1000纳米，纳米单位是微米单位的千分之一。可见，纳米的单位有多小。
3 纳米数越小工艺制程越先进
毋庸置疑，芯片的纳米数越小越先进。纳米数越小，所需要的光刻机的蚀刻水平越高，那么单位面积内所能蚀刻的晶体管数量也就越多。同样体积大小的芯片，纳米数越小，代表内含的集体管数量也就越多、运算单元也就越多、性能也就越强劲、功耗也就越低。现在的产品都向着小型化、微型化去发展，而性能越来越强劲，这就对芯片的工艺制程提出了更高的要求。
海思麒麟990 5G SOC就集成了103亿颗晶体管，而芯片本身还没有一枚硬币大。可见，芯片的蚀刻技术具有多高的技术含量。
以上就是这个问题的回答，如果您有其他的观点，可以在评论区留言讨论，如果您想获取更多的科技方面的前言技术，可以关注本头条号：玩转嵌入式。如果文章对您有所帮助，希望您点个赞转发一下。谢谢。
朋友们好，我是电子及工控技术，我来回答这个问题。最近一段时间关于我国高端集成芯片的制造技术成为舆论讨论的热点，在讨论中大家都对中国到底能做多少纳米的集成芯片非常感兴趣，今天我借着有点时间与朋友们聊聊关于芯片体积与尺寸的一些事情。
芯片的集成大小尺寸
我们知道芯片是集成电路（IC）的简称，它是运用半导体制作工艺的方法将电路中的有源器件，比如晶体三极管、场效应管以及二极管这些器件，然后再配合一些无源元件，类似电阻和电容等。最后把它们连接在一起后放在半导体晶片上封装起来就形成了一个具有一定功能的整体电路了，这个整体电路就是一个完整的芯片，在这个芯片里所装的元器件是有尺寸的，比如最常见的是三极管，在集成电路中为了表达这个三极管的大小时，我们就用“纳米”这个长度单位来衡量，因此芯片里的纳米就是指晶体管之间的距离，如果我们用专业术语说的话它也叫“栅长”的长度单位。一般的朋友可能对“米”，“分米”，“厘米”和“毫米”都有一定的空间概念，当讲到“微米”，“亚微米”和“纳米”时，有的朋友可能就不太清楚了。
我记得我在学习电子技术课，当讲到集成电路章节的时候，老师曾经用一个形象的对比给我们讲了纳米究竟有多小，我很清楚地记得电子老师说:"我们所用的电子技术的教科书一张纸的厚度大约是0.1毫米，1纳米大约是十万分之一毫米，也就是把我们所用的教材里的一张纸再分成十万张就是1纳米的厚度了。"老师说完我们都会在自己的脑海里盘算，也就是说一毫米应该等于100万纳米了。通过后面的了解我们知道了一毫米等于1000微米，一微米等于1000纳米，那么一毫米就应该等于100万纳米了。由此可见这个“纳米”的长度单位还是非常小的，到目前为止我们人类制造最小的集成芯片可以达到3纳米的尺寸，而我国普遍能够制造出28纳米的集成芯片，与外国集成芯片的制造技术还有很大的差距的，我们在这方面还有很长的路要走。
下面我们再说说下一个问题，芯片是不是越小越先进呢？我认为肯定是芯片越小越先进，因为衡量芯片高低的一个重要的指标就是集成度了，所以我们把集成电路分为了小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）、极大规模集成电路（ULSI）和巨大规模集成电路（GLSI）这六种。因为芯片的集成度越大，它的功能就越强。到目前为止我们在芯片面积上是有一定限度要求的，因此，在芯片面积不变的情况下，为了使芯片具有更多、更强的功能，我们就需要追求在芯片上集成更多的器件数量，这样就需要芯片里的器件做的越来越小，于是在芯片的制造技术上就出现了5纳米和3纳米的最求目标。
因此芯片在技术上讲，当然是越小越好了，晶体管越小就表示这个芯片的制造工艺就越先进，以上就是我对这个问题的回答。欢迎朋友们参与讨论，敬请关注电子及工控技术，感谢点赞。
纳米是一种长度单位，我们可以这样计算一下，1微米等于1000纳米，1毫米等于1000微米，也就是说，1毫米等于1000000纳米。可见，1纳米是一个什么样的概念了。
芯片里的单位纳米，表示的是芯片里的晶体管之间的距离，专业用语叫栅长。现在的芯片都是以纳米作为单位来表示它的工艺程度的。一般情况下，栅长越小，就表示这个芯片的工艺越先进。
比如华为公司旗下的麒麟980芯片，采用的是台积电的7纳米的工艺制程。一块麒麟980芯片，晶体管数量就超过69亿之多。而上一代的麒麟芯片——麒麟***0，***用的是台积电10nm工艺制程，拥有的晶体管数量只有55亿，比麒麟980要少14亿之多。
麒麟980相对于麒麟***0，由于***用了更高的7纳米制程，芯片内部容纳了更多的晶体管，所以，性能上提高20%左右，而芯片的功耗却降低了40%左右。
我们平时听到有关芯片的信息总是有某某芯片的尺寸是90nm、65nm、……、7nm等等。这里的XXnm就是单位芯片的单位纳米，专业用语叫做栅长，栅长是CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度。通俗来讲，栅长可以理解为晶体管之间的距离或者叫芯片的集成度，擅长越小，晶体管排列越紧密，所占的体积也就越小，相对来说也就越先进。
所以，研发企业都争先恐后地缩小着栅长。理论上，栅长可以无限地减小。但事实上，栅长是有物理极限的，这个极限是7nm。这个7nm怎么来的呢？在芯片行业有个漏电效应，即当栅长减小时电子移动的距离缩短，容易导致晶体管内部电子自发通过晶体管通道的硅底板进行的从负极流向正极的运动。也就是说当栅长特别小的时候，两个晶体管离得太近，其中的电子就可能直接通过两个晶体管间的硅板流到另一个晶体管中。宏观的表现就是耗能增加。
其实不是说到7nm才发生漏电效应，任何尺寸的芯片都多多少少会出现漏电效应，当栅长小于20nm的时候，漏电效应就已经很明显了，但是各个研发企业通过各种工艺的提高，可以解决这些漏电问题。当栅长小于7nm的时候还没有可行的办法解决，所以7nm也被芯片业成为是物理的极限。
不过目前美国科学家已经在实验室中试探1nm的芯片了，它的技术特点是不用硅做底板而是用石墨稀做底板。如果未来1nm的芯片商业化，那将是电子行业的一场革命。
到此，以上就是小编对于手机 科技结晶的问题就介绍到这了，希望介绍关于手机 科技结晶的1点解答对大家有用。
