大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于纳米科技手机发展的问题，于是小编就整理了2个相关介绍纳米科技手机发展的解答，让我们一起看看吧。
手机中运用了哪些纳米技术？
目前部分公司的手机已经研制出了纳米手机外壳，纳米手机屏幕等。
纳米技术
是用单个原子、分子制造物质的科学技术，研究结构尺寸在1至100纳米范围内材料的性质和应用。当前纳米技术的研究和应用主要在材料和制备、微电子和计算机技术
、医学与健康、航天和航空、环境和能源、生物技术和农产品等方面。用纳米材料制作的器材重量更轻、硬度更强、寿命更长、维修费更低、设计更方便。
华为两个14nm芯片叠加成7nm级别的芯片是怎么做到的?14*14的面积不是7*7的4倍吗？
14nm和7nm指的是晶体管门电路的尺寸，它只是影响芯片尺寸诸多因素中的主要因素而非唯一因素，14nm芯片实际大小为17.7平方毫米，7nm芯片实际大小为7.6平方毫米，是14nm芯片的43%。
首先你这个问题描述含糊，靠物理堆叠不可能改变工艺，两块木板再怎么揉也出不来一块铁皮。所以我猜你问的是怎么用14nm工艺等效出7nm算力。
还是以木板为例，木板不能变铁皮，但可以多用几块木板等效出铁皮的功能。数字电路最常用的手段是并行化，工艺不够，数量来凑。把一个复杂运算拆开成可以并行执行的几部分，在低工艺执行，合起来等效达到高工艺算力。
注意，我上面一直说的只是等效算力，至于面积功耗肯定是代价。
其实没有必要那么麻烦，直接看各家对应工艺的晶体管密度就可以了，在下图中，我们可以看到台积电的7nm和14nm相比，晶体管密度差不多是翻倍的水平，而Intel那边7nm和14nm相比，晶体管密度提升就有点猛了，大概在6倍的水平。
也就是说如果你采用台积电的工艺，要做到同样面积7nm芯片的晶体管数量，你只需要2块同样面积的14nm台积电工艺芯片就行，如果换成Intel的工艺，那就需要更多的14nm工艺芯片了。考虑到华为海思麒麟的芯片都是台积电代工，所以说2块14nm工艺芯片叠加成7nm级别的芯片也没有什么问题。
而且人家说的是“可以将14nm芯片进行双芯叠加，形成一种特定的芯片设计方法，将叠加的性能提升至比肩7nm芯片的程度，并且功耗发热也很不错。”这句话中，并没有限定芯片的面积，只是说了是双芯叠加，所以就算是以Intel工艺为标准，那也可以用2个比较大的14nm芯片叠加，然后和一个面积更小的7nm芯片相比，所以原话并不存在题主说的那种限制。
实际上如果仅仅要做到性能表现比肩7nm，这对于14nm也不是不能完成的任务，但是在能耗上面难以保证做到比肩7nm工艺的水平，这一点从Intel和AMD的竞争中就看得出来，而且手机处理器本来就对能耗比较敏感，就算是性能达标了，能耗控制不住也白搭，当然原话中说的是功耗发热也很不错，没有说一定会达到或者超过7nm工艺。
不过之前Intel也展示过3D封装技术，还推出过相关产品，看Intel的做法也是进行了芯片叠加，不知道华为的芯片叠加是不是这一种，还是说是其他的方法，反正我也不懂这些，华为那么大的公司，那么多的工程师，肯定比我们要懂的多得多，相信他们有办法解决相关问题吧。用网友的话说，人家做不到不代表华为做不到，你怎么就肯定华为做不到呢？所以还是不要操心这些事情了，大是大非面前讲那么多科学道理干什么呢？用网友的话说，你就肯定科学一定是对的吗？
进入nm以后，平方递减不成立了。因为量子隧道效应，纳米尺度的物质绝缘性差，单纯用二氧化硅已经无法实现绝缘，因此需要加厚绝缘层并使用所谓highK材料。因此晶体管的厚度已经大于宽度，需要周边的支持结构也更复杂。因此虽然晶体管的栅线宽小一半，晶体管面积并没有变成四分之一。7nm的晶体管密度是14nm的2倍多。
但是还要考虑到功率散热问题，并不是都能按照最高密度设计的。7nm工艺的静态漏电比14nm高，虽然短时间睿频时主频高于14nm，低频时的功耗反而可能更高。因此还要看芯片设计厂商的功力。历史上intel奔腾4借助工艺优势早早跑到了4g主频，结果却因为高功耗和低效率的流水线败给了amd，后来好多年主流的cpu主频都回到3g以下了。而早期使用7nm工艺的amd处理器性能勉强和intel14nm打个平手，近期的新处理器才发挥出优势。
到此，以上就是小编对于纳米科技手机发展的问题就介绍到这了，希望介绍关于纳米科技手机发展的2点解答对大家有用。
